IC 载板电镀加工是半导体封装领域的核心工艺，专为 IC 载板（如 ABF 载板、BT 载板）沉积高精度金属镀层，核心作用是实现芯片与基板的可靠电连接、提升散热与抗腐蚀性能。
主流镀层类型及用途 铜镀层：核心导电层，用于线路互联，厚度通常 1-5μm，要求高导电性和附着力。 镍镀层：中间阻挡层，防止铜扩散，厚度 0.5-2μm，提升后续镀层结合力。 金镀层：表面焊接 / 键合层，用于芯片键合或引脚焊接，厚度 0.1-1μm，分硬金（耐磨）、软金（易键合）。 锡镀层：低成本焊接层，替代部分金镀层，厚度 1-3μm，要求无针孔、可焊性好。
通讯载板电镀加工常见镀层类型及作用 铜镀层：是通讯载板中主要的导电层，用于线路互联，其厚度通常根据具体需求在 1-20μm 之间，要求具有高导电性、良好的附着力和抗电迁移性能，以保证信号的传输和载板的长期可靠性。 镍镀层：常作为中间阻挡层，防止铜扩散，同时提高后续镀层的结合力，厚度一般在 0.5-2μm。 金镀层：主要用于表面焊接 / 键合层，如芯片键合或引脚焊接，具有良好的导电性、抗腐蚀性和可焊性，厚度通常在 0.1-1μm，可分为硬金和软金，硬金耐磨性好，软金易键合。 锡镀层：是一种低成本的焊接层，可替代部分金镀层，用于载板的表面焊接，厚度一般在 1-3μm，要求无针孔、可焊性好。
半加成工艺载板电镀是一种用于制造高精度电子载板的工艺方法，在半导体封装等领域应用广泛。以下是关于它的详细介绍： 工艺原理：半加成法（SAP）的核心是通过 “逐步沉积铜层” 形成电路。先在绝缘基板表面制备超薄导电层，即种子层，再通过光刻技术定义线路图形，对图形区域电镀加厚铜层，去除多余部分后形成完整电路。改良型半加成法（mSAP）则是在基板上预先贴合 3-9μm 的超薄低轮廓铜箔作为基铜，再进行后续操作。 工艺流程 基材准备：使用表面平整的超薄铜箔基板或无铜基材，如 1-2μm 厚铜层的基板或 ABF 薄膜等。 化学沉铜：通过化学沉积在基材表面形成 0.3-0.8μm 的薄铜层，作为导电基底，即种子层。 图形电镀铜：对露出的种子层区域进行电镀加厚，使线路达到设计厚度，通常至 5-15μm，形成导线主体。 去胶与蚀刻：移除光刻胶或干膜，然后蚀刻掉未被电镀覆盖的薄种子层铜，由于种子层厚度极薄，蚀刻侧蚀极小。 表面处理：进行沉金、OSP、沉锡等表面处理，以满足后续封装和焊接等工艺的要求。